■TLC闪存特点：

海力士16nmTLC闪存

TLC即Triple-LevelCell的缩写，是2bit/cell的MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。

SLC/MLC/TLC闪存架构对比

1、理论上的存储密度最高;2、制造成本最低，其价格较之MLC闪存降低20-50%;3、P/E寿命可达1000-2000余次;5、读写速度(相对于SLC/MLC闪存)慢，随着制造工艺的提升、主控算法有大幅提升。

相对于MLC闪存，TLC闪存的性能、P/E使用寿命不如前者。SSD厂商通过加大缓存提高性能、改进主控/算法等方式来解决这些问题。

TLC架构可制造容量更大的闪存

P/E寿命虽然没得改，但可靠性可以借助增加ECC校验、优化主控读写等方式改善，而且对NAND闪存来说，容量就是寿命，更大的容量就有了更高的数据写入寿命。这也正是我们为何拿240-250GBTLCSSD进行试验的原因之一(将在下期测试，测试过程需要1-2个月)。综上所叙，TLC拥有更大的优势是毋庸置疑的。